(中国，上海—2016年4月18日)近日，全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司(股份代号：1347.HK)之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)的“第二代深槽型超级结工艺平台”项目在第四届中国电子信息博览会“2016 CITE创新之夜”颁奖盛典上，喜获基础电子类“2016 CITE创新产品和应用奖”。不久前该项目刚获得了“第十届(2015年度)中国半导体创新产品和技术奖”。
此次获奖乃是业界对华虹宏力在第二代超级结MOSFET(Super Junction, SJNFET)技术的研发创新、量产及应用领域拓展等方面所做贡献的充分肯定。该技术达到业界一流水平，拥有更快的开关速度、更低的开关损耗、更小的芯片面积，并且保持强雪崩耐量和抗电磁干扰能力。该项目研发团队已获35项国家发明专利授权。
目前新能源汽车、移动终端、4G网络、云计算和LED照明市场的强劲增长，拉动了功率器件的需求量直线飙升。华虹宏力作为全球最大的功率器件200mm晶圆代工厂，可为客户提供独特的、富有竞争力的超级结MOSFET和场截止型(Field Stop, FS)IGBT工艺。
“2016 CITE创新之夜”颁奖盛典现场
